Номер детали производителя : | ES1BL M2G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | ES1BL M2G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ES1BL M2G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | ES1BL M2G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 35 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | ES1B |
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA